Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BF
Ausführung Transistor HF-Transistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 25 V
Strom Ic 0,01A
Strom Id (MOSFET) 0,01A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,30 W
Gehäuse Halbleiter TO92
Hersteller Transistoren National Semiconductors

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv