Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SD
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 25 V
Strom Ic 0,5A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,20 W
Gehäuse Halbleiter TO236
Hersteller Transistoren National Semiconductors

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv