Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SK
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 18 V
Strom Id (MOSFET) 0,01A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,20 W
Gehäuse Halbleiter 2-4E1D
Hersteller Transistoren Toshiba

Lieferangaben

RoHS-konform Nein
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)