2SA1164-Y
inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
PNP-Typ im Metallgehäuse
UCEO = V
IC = A
Ptot = W
fT = MHz
hFE =
Gehäuse
Aufbau
Silizium
bedrahtet
2SA
Bipolar-Transistor BJT
Technische Daten
PNP
30 V
0,1A
0,20 W
TO92
Toshiba
Lieferangaben
Ja
aktiv