Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren TSM
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 600 V
Strom Id (MOSFET) 1A
RDSon (MOSFET) 12 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 50 W
Gehäuse Halbleiter TO252AA
Hersteller Transistoren Taiwan Semiconductor

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)