IRFP150N

Transistor N-MOSFET 100V 42A 160W 0,036R TO247AC
Artikel-Nummer: 502930;0
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Leistungs-MOSFET 

N-Kanal im Plastikgehäuse
  • UDS = 100 V
  • ID25 = 42 A
  • RDS(on) = 0,036 Ohm
  • UGS(th) = 2,0 V
  • td(on) = 11 ns
  • td(off) = 45 ns
  • Ptot = 160 W
  • Gehäuse  TO247AC
  • Hersteller  International Rectifier (jetzt Infineon)

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
100 V
42A
0,036 Ohm
160 W
TO247AC
Infineon

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Ja
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