IRF9Z34N
| ab Menge | Preis je Stück |
|---|---|
| 1 | 0,69 € |
| 5 | 0,66 € |
| 10 | 0,64 € |
| 20 | 0,62 € |
| 50 | 0,59 € |
inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
P-Kanal im Plastikgehäuse
- UDS = 55 V
- ID25 = 19 A
- RDS(on) = 0,100 Ohm
- UGS(th) = 2,0 V
- td(on) = 13 ns
- td(off) = 30 ns
- Ptot = 68 W
- Gehäuse TO220AB
- Hersteller International Rectifier (jetzt Infineon)
Aufbau
Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET
Technische Daten
P-Kanal
55 V
19A
0,01 Ohm
68 W
TO220AB
Infineon
Lieferangaben
Ja
aktiv
