IRF640

Transistor N-MOSFET 200V 18A 125W 0,18R TO220AB

Artikel-Nummer: 502555;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

V_DS = 200 V
I_D = 18 A
P_tot = 125 W
R_DS(ON) = 0,18 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 200 V
Strom Id (MOSFET) 18A
RDSon (MOSFET) 0,18 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 125 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren VISHAY