2SB648A

Japan-Transistor pnp 120V 50mA 1,0W TO126
Artikel-Nummer: 504580;0
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10 1,34
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NF-Kleinleistungs-Transistor

PNP-Typ im Metallgehäuse

UCEO =  V
IC =  A
Ptot =  W
fT =  MHz
hFE

Gehäuse

Aufbau

Silizium
bedrahtet
2SB
Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

PNP
120 V
0,05A
1,0 W
TO126
Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

Ja
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