Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SA
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 60 V
Strom Ic 0,1A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,40 W
Gehäuse Halbleiter TO92
Hersteller Transistoren Matsushita

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv