Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 40 V
Strom Ic 0,6A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,625 W
Verstärkung hfe 100...300
Transitfrequenz fT min 200 MHz
Gehäuse Halbleiter TO92
Hersteller Transistoren JCET
Einsatztemperaturbereich -55...+150°C

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv