Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 60 V
Strom Ic 1A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,75 W
Verstärkung hfe 40...120
Transitfrequenz fT min 100 MHz
Gehäuse Halbleiter TO18
Hersteller Transistoren µe

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
aktiv