IRFP3206

Transistor N-MOSFET 60V 120A 280W 0,003R TO247AC
Artikel-Nummer: 502974;0
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10 2,64
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Leistungs-MOSFET 

N-Kanal im Plastikgehäuse
  • UDS = 60 V
  • ID25 = 120 A
  • RDS(on) = 0,003 Ohm
  • UGS(th) = 2,0 V
  • td(on) = 19 ns
  • td(off) = 55 ns
  • Ptot = 280 W
  • Gehäuse  TO247AC
  • Hersteller  International Rectifier (jetzt Infineon)

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
60 V
120A
0,003 Ohm
280 W
TO247AC
Infineon

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Ja
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