BPY62-4
Fototransistor 400 nm bis 1100 nm TO18
Artikel-Nummer: 514475;0
ab Menge | Preis je Stück |
---|---|
1 | 2,39 € |
3 | 2,36 € |
5 | 2,34 € |
10 | 2,31 € |
20 | 2,28 € |
1 Stück = 2,39 €
inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
BPY 62
NPN-Silizium-Fototransistor
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluss, geeignet bis 125 ° C
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• "Messen/Steuern/Regeln"
NPN-Silizium-Fototransistor
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluss, geeignet bis 125 ° C
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• "Messen/Steuern/Regeln"